ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MJW0281A Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS BIPO NPN 150W 260V TO-247 - MJW0281A - Dispositivi a semiconduttore discreti

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MJW0281AOS-ND

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MJW0281A

Descrizione

TRANS BIPO NPN 150W 260V TO-247

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ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MJW0281A

Informazioni tecniche da catalogo	MJW0281A
Fornitore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	260V
Corrente di collettore (Ic) (max)	15A
Potenza max	150W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	75 a 3A, 5V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1V a 500mA, 5A
Frequenza - transizione	30MHz
Corrente di soglia collettore (max)	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	TO-247-3 (conduttori diritti), TO-247AC
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	MJW0281A MJW0281A MJW0281AOS ND MJW0281AOSND MJW0281AOS

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TRANS BIPO NPN 150W 260V TO-247 - MJW0281A
(MJW0281AOS-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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