International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF6635 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET - IRF6635 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF6635

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MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF6635

Informazioni tecniche da catalogo	IRF6635
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	32A
Rds On (max) - Id, Vgs	1,8 mOhm a 32A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	5970pF a 15V
Potenza max	2,8W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	71nC a 4,5V
Contenitore / involucro	DirectFET™ Isometrico MX
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF6635 IRF6635

Image of MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET - IRF6635

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MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET - IRF6635
(IRF6635-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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