Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2173H Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK - HAT2173H

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HAT2173H-ND

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HAT2173H

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MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2173H

Informazioni tecniche da catalogo	HAT2173H
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	25A
Rds On (max) - Id, Vgs	15 mOhm a 12,5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	4350pF a 10V
Potenza max	30W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	61nC a 10V
Contenitore / involucro	LFPAK
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	HAT2173H HAT2173H

Image of MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK - HAT2173H

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MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK - HAT2173H
(HAT2173H-ND)

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