Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2167H Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK - HAT2167H - Dispositivi a semiconduttore discreti

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HAT2167H-ND

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HAT2167H

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2167H

Informazioni tecniche da catalogo	HAT2167H
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	40A
Rds On (max) - Id, Vgs	5,5 mOhm a 20A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	2700pF a 10V
Potenza max	20W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	17nC a 4,5V
Contenitore / involucro	LFPAK
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	HAT2167H HAT2167H

Image of MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK - HAT2167H

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MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK - HAT2167H
(HAT2167H-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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