Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBF20 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB - IRFBF20 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFBF20-ND

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IRFBF20

Descrizione

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBF20

Informazioni tecniche da catalogo	IRFBF20
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	900V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	8 Ohm a 1A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	490pF a 25V
Potenza max	54W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	38nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRFBF20 IRFBF20

Image of MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB - IRFBF20

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MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB - IRFBF20
(IRFBF20-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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