Diodes Inc (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123-7-F Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 - BSS123-7-F - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

BSS123-FDICT-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	0.42	0.42
10	0.289	2.89
100	0.1348	13.48
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500	0.06546	32.73
1000	0.05198	51.98

Numero di produttore dell’articolo

BSS123-7-F

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Quantità disponibile

2914

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Diodes Inc (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123-7-F

Informazioni tecniche da catalogo	BSS123-7-F
Fornitore	Diodes Inc (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	170mA
Rds On (max) - Id, Vgs	6 Ohm a 170mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	60pF a 25V
Potenza max	300mW
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	-
Contenitore / involucro	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSS123 7 F BSS1237F BSS123 FDICT ND BSS123FDICTND BSS123-FDICT

Image of MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 - BSS123-7-F

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 - BSS123-7-F
(BSS123-FDICT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Zetex Inc (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123TA Dispositivi a semiconduttore discreti
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