IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTA3N120 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 - IXTA3N120 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di produttore dell’articoloIXTA3N120
DescrizioneMOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
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IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTA3N120
Informazioni tecniche da catalogoIXTA3N120
FornitoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETCanale N
Tensione drain-source (Vdss)1200V
Corrente - Drain continuo (Id)3A
Rds On (max) - Id, Vgs4,5 Ohms @ 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds1350pF @ 25V
Potenza max200W
ImballaggioTubo
Carica di gate (Qg) - Vgs42nC @ 10V
Contenitore / involucroTO-263
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi IXTA3N120
IXTA3N120
Image of MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 - IXTA3N120
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MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 - IXTA3N120
(IXTA3N120-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 - IXTA3N120 (IXTA3N120-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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