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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G - Dispositivi a semiconduttore discreti

Numero di Digi-Key dell’articolo NTR2101PT1GOSCT-ND
Quantità di articoli
10
100
250
500
1000
Prezzo all’unità
0.228
0.164
0.123
0.09566
0.082
Prezzo totale
2.28
16.40
30.75
47.83
82.00
Numero di produttore dell’articoloNTR2101PT1G
DescrizioneMOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Quantità disponibile 3140
Tutti i prezzi sono in EUR

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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G - Dispositivi a semiconduttore discreti
Informazioni tecniche da catalogoNTR2101PT1G
FornitoreON Semiconductor (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETCanale P
Tensione drain-source (Vdss)8V
Corrente - Drain continuo (Id)3,7A
Rds On (max) - Id, Vgs52 mOhms @ 3,5A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds1173pF @ 4V
Potenza max960mW
ImballaggioNastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs15nC @ 4,5V
Contenitore / involucroSOT-23
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi NTR2101PT1G
NTR2101PT1G
NTR2101PT1GOSCT ND
NTR2101PT1GOSCTND
NTR2101PT1GOSCT
Image of MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
(NTR2101PT1GOSCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G (NTR2101PT1GOSCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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