Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9210 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP - IRFD9210 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFD9210-ND

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IRFD9210

Descrizione

MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP

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Non-Stock

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9210

Informazioni tecniche da catalogo	IRFD9210
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	400mA
Rds On (max) - Id, Vgs	3 Ohm a 240mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	170pF a 25V
Potenza max	1W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	8,9nC a 10V
Contenitore / involucro	4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRFD9210 IRFD9210

Image of MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP - IRFD9210

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MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP - IRFD9210
(IRFD9210-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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