Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF9530 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB - IRF9530 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF9530-ND

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IRF9530

Descrizione

MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF9530

Informazioni tecniche da catalogo	IRF9530
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	12A
Rds On (max) - Id, Vgs	300 mOhm a 7,2A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	860pF a 25V
Potenza max	88W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	38nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF9530 IRF9530

Image of MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB - IRF9530

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MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB - IRF9530
(IRF9530-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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