Toshiba (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti TPCA8003-H(TE12L,Q Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 35A 8-SOPA - TPCA8003-H(TE12L,Q - Dispositivi a semiconduttore discreti

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TPCA8003-HCT-ND

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10	0.995	9.95
100	0.7461	74.61
250	0.6964	174.10
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Numero di produttore dell’articolo

TPCA8003-H(TE12L,Q

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 35A 8-SOPA

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Toshiba (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti TPCA8003-H(TE12L,Q

Informazioni tecniche da catalogo	TPCA8003-H(TE12L,Q
Fornitore	Toshiba (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	35A
Rds On (max) - Id, Vgs	6,6 mOhm a 18A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1465pF a 10V
Potenza max	45W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	25nC a 10V
Contenitore / involucro	8-SOPA
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	TPCA8003 H TE12L,Q TPCA8003HTE12L,Q TPCA8003 HCT ND TPCA8003HCTND TPCA8003-HCT

Image of MOSFET N-CH 30V 35A 8-SOPA - TPCA8003-H(TE12L,Q

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MOSFET N-CH 30V 35A 8-SOPA - TPCA8003-H(TE12L,Q
(TPCA8003-HCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti TPC8013-H(TE12L,Q) Dispositivi a semiconduttore discreti
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