Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK3561 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220SIS - 2SK3561

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Numero di produttore dell’articolo2SK3561
DescrizioneMOSFET N-CH 500V 8A TO-220SIS
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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK3561
Informazioni tecniche da catalogo2SK3561
FornitoreToshiba
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioForo passante
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)500V
Corrente - Drain continuo (Id)8A
Rds On (max) - Id, Vgs850 mOhm a 4A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 1050pF a 25V
Potenza max40W
ImballaggioTubo
Carica di gate (Qg) - Vgs28nC a 10V
Contenitore / involucroTO-220 (SIS)
Esenzione da piomboContains Lead
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Non-Compliant
Altri Nomi 2SK3561
2SK3561
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MOSFET N-CH 500V 8A TO-220SIS - 2SK3561
(2SK3561-ND)

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