STMicroelectronics Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF620 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 - IRF620 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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497-3135-ND

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IRF620

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MOSFET N-CH 200V 6A TO-220

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STMicroelectronics Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF620

Informazioni tecniche da catalogo	IRF620
Fornitore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	6A
Rds On (max) - Id, Vgs	800 mOhm a 3A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	350pF a 25V
Potenza max	70W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	27nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRF620 IRF620 497 3135 ND 4973135ND 497-3135

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MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 - IRF620
(497-3135-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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