Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9120 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD9120 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di produttore dell’articoloIRFD9120
DescrizioneMOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9120
Informazioni tecniche da catalogoIRFD9120
FornitoreVishay/Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioForo passante
Tipo di FETMOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)100V
Corrente - Drain continuo (Id)1A
Rds On (max) - Id, Vgs600 mOhm a 600mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 390pF a 25V
Potenza max1,3W
ImballaggioTubo
Carica di gate (Qg) - Vgs18nC a 10V
Contenitore / involucro4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piomboContains Lead
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Non-Compliant
Altri Nomi IRFD9120
IRFD9120
Image of MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD9120
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MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD9120
(IRFD9120-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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