STMicroelectronics Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 - IRF640

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IRF640

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MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

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STMicroelectronics Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640

Informazioni tecniche da catalogo	IRF640
Fornitore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	18A
Rds On (max) - Id, Vgs	180 mOhm a 9A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1560pF a 25V
Potenza max	125W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	72nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRF640 IRF640 497 2759 5 ND 49727595ND 497-2759-5

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MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 - IRF640
(497-2759-5-ND)

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