Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPD30P06P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK - SPD30P06P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPD30P06PINCT-ND

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SPD30P06P

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MOSFET P-CH 60V 30A DPAK

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPD30P06P

Informazioni tecniche da catalogo	SPD30P06P
Fornitore	Infineon Technologies (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	30A
Rds On (max) - Id, Vgs	75 mOhm a 21,5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1535pF a 25V
Potenza max	125W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	48nC a 10V
Contenitore / involucro	DPak, SC-63,TO-252(2 cavi+linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPD30P06P SPD30P06P SPD30P06PINCT ND SPD30P06PINCTND SPD30P06PINCT

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MOSFET P-CH 60V 30A DPAK - SPD30P06P
(SPD30P06PINCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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