Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB17N80C3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK - SPB17N80C3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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1 4.09 4.09
10 3.681 36.81
100 2.9994 299.94
500 2.3859 1192.95
1000 2.04504 2045.04
Numero di produttore dell’articoloSPB17N80C3
DescrizioneMOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Quantità disponibile 415

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB17N80C3
Informazioni tecniche da catalogoSPB17N80C3
FornitoreInfineon Technologies (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)800V
Corrente - Drain continuo (Id)17A
Rds On (max) - Id, Vgs290 mOhm a 11A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 2300pF a 100V
Potenza max227W
ImballaggioNastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs177nC a 10V
Contenitore / involucroD²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi SPB17N80C3
SPB17N80C3
SPB17N80C3INCT ND
SPB17N80C3INCTND
SPB17N80C3INCT
Image of MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK - SPB17N80C3
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MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK - SPB17N80C3
(SPB17N80C3INCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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