Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPA20N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP - SPA20N60C3

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SPA20N60C3

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MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPA20N60C3

Informazioni tecniche da catalogo	SPA20N60C3
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Corrente - Drain continuo (Id)	20,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	190 mOhm a 13,1A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	2400pF a 25V
Potenza max	34,5W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	114nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220FP
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPA20N60C3 SPA20N60C3 SPA20N60C3IN ND SPA20N60C3INND SPA20N60C3IN

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MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP - SPA20N60C3
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