Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP11N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB - SPP11N60C3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPP11N60C3IN-ND

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10	1.87	18.70
100	1.5023	150.23

Numero di produttore dell’articolo

SPP11N60C3

Descrizione

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

Quantità disponibile

758

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP11N60C3

Informazioni tecniche da catalogo	SPP11N60C3
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Corrente - Drain continuo (Id)	11A
Rds On (max) - Id, Vgs	380 mOhm a 7A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1200pF a 25V
Potenza max	125W
Imballaggio	Sfuso
Carica di gate (Qg) - Vgs	60nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220AB
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPP11N60C3 SPP11N60C3 SPP11N60C3IN ND SPP11N60C3INND SPP11N60C3IN

Image of MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB - SPP11N60C3

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MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB - SPP11N60C3
(SPP11N60C3IN-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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