Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPD06N80C3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK - SPD06N80C3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPD06N80C3INTR-ND

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SPD06N80C3

Descrizione

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPD06N80C3

Informazioni tecniche da catalogo	SPD06N80C3
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	800V
Corrente - Drain continuo (Id)	6A
Rds On (max) - Id, Vgs	900 mOhm a 3,8A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	785pF a 100V
Potenza max	83W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	41nC a 10V
Contenitore / involucro	DPak, SC-63,TO-252(2 cavi+linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPD06N80C3 SPD06N80C3 SPD06N80C3INTR ND SPD06N80C3INTRND SPD06N80C3INTR

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MOSFET N-CH 800V 6A DPAK - SPD06N80C3
(SPD06N80C3INTR-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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