Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBC20 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB - IRFBC20 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFBC20-ND

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IRFBC20

Descrizione

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBC20

Informazioni tecniche da catalogo	IRFBC20
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	600V
Corrente - Drain continuo (Id)	2,2A
Rds On (max) - Id, Vgs	4,4 Ohm a 1,3A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	350pF a 25V
Potenza max	50W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	18nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRFBC20 IRFBC20

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MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB - IRFBC20
(IRFBC20-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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