Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2917 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 500V 18A 2-16F1B - 2SK2917 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SK2917

Descrizione

MOSFET N-CH 500V 18A 2-16F1B

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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2917

Informazioni tecniche da catalogo	2SK2917
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	500V
Corrente - Drain continuo (Id)	18A
Rds On (max) - Id, Vgs	270 mOhm a 10A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	3720pF a 10V
Potenza max	90W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	80nC a 10V
Contenitore / involucro	2-16F1B
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SK2917 2SK2917

Image of MOSFET N-CH 500V 18A 2-16F1B - 2SK2917

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MOSFET N-CH 500V 18A 2-16F1B - 2SK2917
(2SK2917-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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