Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 - BSS123E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSS123INCT-ND

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BSS123E6327

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123E6327

Informazioni tecniche da catalogo	BSS123E6327
Fornitore	Infineon Technologies (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	170mA
Rds On (max) - Id, Vgs	6 Ohm a 170mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	69pF a 25V
Potenza max	360mW
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	2,67nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-23
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSS123E6327 BSS123E6327 BSS123INCT ND BSS123INCTND BSS123INCT

Image of MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 - BSS123E6327

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 - BSS123E6327
(BSS123INCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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