Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP18P06P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB - SPP18P06P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPP18P06PIN-ND

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100	0.7695	76.95
1000	0.47112	471.12

Numero di produttore dell’articolo

SPP18P06P

Descrizione

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Quantità disponibile

4310

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP18P06P

Informazioni tecniche da catalogo	SPP18P06P
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	18,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	130 mOhm a 13,2A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	860pF a 25V
Potenza max	81,1W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	28nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220AB
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPP18P06P SPP18P06P SPP18P06PIN ND SPP18P06PINND SPP18P06PIN

Image of MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB - SPP18P06P

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MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB - SPP18P06P
(SPP18P06PIN-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB - SPP18P06P (SPP18P06PIN-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP08P06P Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP80P06P Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BTS113A Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB18P06P G Dispositivi a semiconduttore discreti
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