Panasonic - SSG Transistori (bjt) - Singoli, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti UNR1211 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS NPN W/RES 35 HFE M TYPE - UNR1211 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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UNR1211-ND

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UNR1211

Descrizione

TRANS NPN W/RES 35 HFE M TYPE

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Panasonic - SSG Transistori (bjt) - Singoli, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti UNR1211

Informazioni tecniche da catalogo	UNR1211
Fornitore	Panasonic - SSG
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN - pre-polarizzato
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	50V
Corrente di collettore (Ic) (max)	100mA
Potenza max	400mW
Resistore - Base (R1) (ohm)	10K
Resistore - Base emettitore (R2) (ohm)	10K
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV a 300µA, 10mA
Corrente di soglia collettore (max)	500nA
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	35 a 5mA, 10V
Frequenza - transizione	80MHz
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	UNR1211 UNR1211

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TRANS NPN W/RES 35 HFE M TYPE - UNR1211
(UNR1211-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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