Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2968 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 900V 10A 2-16C1B - 2SK2968 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SK2968

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MOSFET N-CH 900V 10A 2-16C1B

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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2968

Informazioni tecniche da catalogo	2SK2968
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	900V
Corrente - Drain continuo (Id)	10A
Rds On (max) - Id, Vgs	1,25 Ohm a 4A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	2150pF a 25V
Potenza max	150W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	70nC a 10V
Contenitore / involucro	2-16C1B (TO-247 N)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SK2968 2SK2968

Image of MOSFET N-CH 900V 10A 2-16C1B - 2SK2968

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MOSFET N-CH 900V 10A 2-16C1B - 2SK2968
(2SK2968-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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