Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC4793 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS NPN 230V 1A 2-10R1A - 2SC4793 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SC4793

Descrizione

TRANS NPN 230V 1A 2-10R1A

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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC4793

Informazioni tecniche da catalogo	2SC4793
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	230V
Corrente di collettore (Ic) (max)	1A
Potenza max	2W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	100 a 100mA, 5V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1,5V a 50mA, 500mA
Frequenza - transizione	100MHz
Corrente di soglia collettore (max)	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	2-10R1A (TO-220 NIS)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SC4793 2SC4793

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TRANS NPN 230V 1A 2-10R1A - 2SC4793
(2SC4793-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SA1837 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC5200-O Dispositivi a semiconduttore discreti
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