Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC3281-O Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS NPN 200V 15A 2-21F1A - 2SC3281-O - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SC3281-O

Descrizione

TRANS NPN 200V 15A 2-21F1A

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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC3281-O

Informazioni tecniche da catalogo	2SC3281-O
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	200V
Corrente di collettore (Ic) (max)	15A
Potenza max	150W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	80 a 1mA, 5V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3V a 1A, 10A
Frequenza - transizione	30MHz
Corrente di soglia collettore (max)	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	2-21F1A (TO-247 L)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SC3281 O 2SC3281O

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TRANS NPN 200V 15A 2-21F1A - 2SC3281-O
(2SC3281-O-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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