International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5803 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP - IRF5803 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF5803

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MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5803

Informazioni tecniche da catalogo	IRF5803
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	40V
Corrente - Drain continuo (Id)	3,4A
Rds On (max) - Id, Vgs	112 mOhm a 3,4A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1110pF a 25V
Potenza max	2W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	37nC a 10V
Contenitore / involucro	Micro6™(TSOP-6)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF5803 IRF5803

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MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP - IRF5803
(IRF5803-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5804 Dispositivi a semiconduttore discreti
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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5804TR Dispositivi a semiconduttore discreti
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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI3454ADV-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Vishay/Siliconix (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI3454ADV-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Vishay/Siliconix (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI3454ADV-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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ON Semiconductor Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti NTGS3447PT1G Dispositivi a semiconduttore discreti
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