International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5806 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP - IRF5806 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF5806

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MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF5806

Informazioni tecniche da catalogo	IRF5806
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id)	4A
Rds On (max) - Id, Vgs	86 mOhm a 4A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	594pF a 15V
Potenza max	2W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	11,4nC a 4,5V
Contenitore / involucro	Micro6™(TSOP-6)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF5806 IRF5806

Image of MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP - IRF5806

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MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP - IRF5806
(IRF5806-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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