Toshiba Memoria Circuiti Integrati (ci) TC55VBM316AFTN55 Circuiti integrati (CI)

IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP - TC55VBM316AFTN55 - Circuiti integrati (CI)

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Numero di produttore dell’articoloTC55VBM316AFTN55
DescrizioneIC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP
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Toshiba Memoria Circuiti Integrati (ci) TC55VBM316AFTN55
Informazioni tecniche da catalogoTC55VBM316AFTN55
FornitoreToshiba
CategoriaCircuiti integrati (CI)
Tipo di memoriaSRAM
Dimensione memoria8M (512K x 16)
Velocità55ns
InterfacciaParallelo
Contenitore / involucro48-TSOP
ImballaggioVassoio
Alimentazione di tensione2,3 V ~ 3,6 V
Temperatura di funzionamento-40°C ~ 85°C
Formato - MemoriaRAM
Esenzione da piomboContains Lead
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Non-Compliant
Altri Nomi TC55VBM316AFTN55
TC55VBM316AFTN55
TC55W800FT55M ND
TC55W800FT55MND
TC55W800FT55M
Image of IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP - TC55VBM316AFTN55
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IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP - TC55VBM316AFTN55
(TC55W800FT55M-ND) - Circuiti integrati (CI)

IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP - TC55VBM316AFTN55 (TC55W800FT55M-ND) - Circuiti integrati (CI)

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