Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRLD014 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP - IRLD014 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRLD014-ND

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IRLD014

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

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Non-Stock

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRLD014

Informazioni tecniche da catalogo	IRLD014
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	200 mOhm a 1A, 5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	400pF a 25V
Potenza max	1,3W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	8,4nC a 5V
Contenitore / involucro	4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRLD014 IRLD014

Image of MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP - IRLD014

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MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP - IRLD014
(IRLD014-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9014 Dispositivi a semiconduttore discreti
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