International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBA1404P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 - IRFBA1404P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFBA1404P

Descrizione

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFBA1404P

Informazioni tecniche da catalogo	IRFBA1404P
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	40V
Corrente - Drain continuo (Id)	206A
Rds On (max) - Id, Vgs	3,7 mOhm a 95A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	7360pF a 25V
Potenza max	300W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	200nC a 10V
Contenitore / involucro	Super-220™-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRFBA1404P IRFBA1404P

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MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 - IRFBA1404P
(IRFBA1404P-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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