International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640N Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB - IRF640N

All prices are in EUR. Numero di Digi-Key dell’articolo IRF640N-ND Quantità di articoli Prezzo all’unità Prezzo totale Call Call Call Numero di produttore dell’articolo IRF640N Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Quantità disponibile 0 Value Added Item Obsolete item; call Digi-Key for more information. International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640N Informazioni tecniche da catalogo IRF640N Fornitore International Rectifier Categoria Dispositivi a semiconduttore discreti Tipo di montaggio Foro passante Tipo di FET MOSFET canale N, metallo-ossido Tensione drain-source (Vdss) 200V Corrente - Drain continuo (Id) 18A Rds On (max) - Id, Vgs 150 mOhm a 11A, 10V Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 1160pF a 25V Potenza max 150W Imballaggio Tubo Carica di gate (Qg) - Vgs 67nC a 10V Contenitore / involucro TO-220-3 (conduttori diritti) Esenzione da piombo Contains Lead Rispetto della direttiva RoHS RoHS Non-Compliant Altri Nomi IRF640N IRF640N

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640 Dispositivi a semiconduttore discreti
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International Rectifier Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRLZ24N Dispositivi a semiconduttore discreti
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International Rectifier Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF630N Dispositivi a semiconduttore discreti
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