International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF530NS Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK - IRF530NS - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF530NS

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MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF530NS

Informazioni tecniche da catalogo	IRF530NS
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	17A
Rds On (max) - Id, Vgs	90 mOhm a 9A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	920pF a 25V
Potenza max	3,8W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	37nC a 10V
Contenitore / involucro	D²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF530NS IRF530NS

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MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK - IRF530NS
(IRF530NS-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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