Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFR9210 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK - IRFR9210 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFR9210-ND

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IRFR9210

Descrizione

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

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Non-Stock

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFR9210

Informazioni tecniche da catalogo	IRFR9210
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,9A
Rds On (max) - Id, Vgs	3 Ohm a 1,1A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	170pF a 25V
Potenza max	2,5W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	8,9nC a 10V
Contenitore / involucro	DPak, SC-63,TO-252(2 cavi+linguetta)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRFR9210 IRFR9210

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MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK - IRFR9210
(IRFR9210-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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