Vishay/Siliconix (VA) Mosfet - Schiere Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4936BDY-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC - SI4936BDY-T1-E3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SI4936BDY-T1-E3CT-ND

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Numero di produttore dell’articolo

SI4936BDY-T1-E3

Descrizione

MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC

Quantità disponibile

4087

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Vishay/Siliconix (VA) Mosfet - Schiere Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4936BDY-T1-E3

Informazioni tecniche da catalogo	SI4936BDY-T1-E3
Fornitore	Vishay/Siliconix (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	2 canali N (doppio)
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	5,9A
Rds On (max) - Id, Vgs	35 mOhm a 5,9A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	530pF a 15V
Potenza max	2W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	15nC a 10V
Contenitore / involucro	8 SOIC (3,9 mm di larghezza)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SI4936BDY T1 E3 SI4936BDYT1E3 SI4936BDY T1 E3CT ND SI4936BDYT1E3CTND SI4936BDY-T1-E3CT

Image of MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC - SI4936BDY-T1-E3

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MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC - SI4936BDY-T1-E3
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