Vishay/Siliconix (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4472DY-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC - SI4472DY-T1-E3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SI4472DY-T1-E3CT-ND

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1	3.34	3.34
25	2.4824	62.06
100	2.387	238.70
250	2.14832	537.08
500	1.9096	954.80
1000	1.4322	1432.20

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SI4472DY-T1-E3

Descrizione

MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

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Vishay/Siliconix (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4472DY-T1-E3

Informazioni tecniche da catalogo	SI4472DY-T1-E3
Fornitore	Vishay/Siliconix (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	150V
Corrente - Drain continuo (Id)	7,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	45 mOhm a 5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1735pF a 50V
Potenza max	5,9W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	43nC a 10V
Contenitore / involucro	8 SOIC (3,9 mm di larghezza)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SI4472DY T1 E3 SI4472DYT1E3 SI4472DY T1 E3CT ND SI4472DYT1E3CTND SI4472DY-T1-E3CT

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