Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI8424DB-T1-E1 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP - SI8424DB-T1-E1 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

SI8424DB-T1-E1TR-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
3000	0.31185	935.55
6000	0.3003	1801.80
12000	0.29106	3492.72
24000	0.28644	6874.56
51000	0.2772	14137.20

Numero di produttore dell’articolo

SI8424DB-T1-E1

Descrizione

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Quantità disponibile

6000

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI8424DB-T1-E1

Informazioni tecniche da catalogo	SI8424DB-T1-E1
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	8V
Corrente - Drain continuo (Id)	12,2A
Rds On (max) - Id, Vgs	31 mOhm a 1A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1950pF a 4V
Potenza max	6,25W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	33nC a 5V
Contenitore / involucro	4-MICRO FOOT®CSP
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SI8424DB T1 E1 SI8424DBT1E1 SI8424DB T1 E1TR ND SI8424DBT1E1TRND SI8424DB-T1-E1TR

Image of MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP - SI8424DB-T1-E1

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MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP - SI8424DB-T1-E1
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