Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI2351DS-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

SI2351DS-T1-E3TR-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
3000	0.20482	614.46
6000	0.19458	1167.48
12000	0.19019	2282.28
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99000	0.17556	17380.44

Numero di produttore dell’articolo

SI2351DS-T1-E3

Descrizione

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Quantità disponibile

12000

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI2351DS-T1-E3

Informazioni tecniche da catalogo	SI2351DS-T1-E3
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id)	2,8A
Rds On (max) - Id, Vgs	115 mOhm a 2,4A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	250pF a 10V
Potenza max	2,1W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	5,1nC a 5V
Contenitore / involucro	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SI2351DS T1 E3 SI2351DST1E3 SI2351DS T1 E3TR ND SI2351DST1E3TRND SI2351DS-T1-E3TR

Image of MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3

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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3
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