Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2N7002K-T1-E3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 - 2N7002K-T1-E3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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6000 0.04158 249.48
12000 0.03696 443.52
24000 0.03465 831.60
51000 0.03072 1566.72
99000 0.02945 2915.55
Numero di produttore dell’articolo2N7002K-T1-E3
DescrizioneMOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2N7002K-T1-E3
Informazioni tecniche da catalogo2N7002K-T1-E3
FornitoreVishay/Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)60V
Corrente - Drain continuo (Id)300mA
Rds On (max) - Id, Vgs2 Ohm a 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 30pF a 25V
Potenza max350mW
ImballaggioNastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs0,6nC a 4,5V
Contenitore / involucroSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi 2N7002K T1 E3
2N7002KT1E3
2N7002K T1 E3TR ND
2N7002KT1E3TRND
2N7002K-T1-E3TR
Image of MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 - 2N7002K-T1-E3
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MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 - 2N7002K-T1-E3
(2N7002K-T1-E3TR-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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