IXYS (VA) Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTA3N120TRL Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 - IXTA3N120TRL - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo IXTA3N120CT-ND
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10 3.054 30.54
50 2.503 125.15
100 2.3771 237.71
Numero di produttore dell’articoloIXTA3N120TRL
DescrizioneMOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Quantità disponibile 2824

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IXYS (VA) Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTA3N120TRL
Informazioni tecniche da catalogoIXTA3N120TRL
FornitoreIXYS (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETCanale N
Tensione drain-source (Vdss)1200V
Corrente - Drain continuo (Id)3A
Rds On (max) - Id, Vgs4,5 Ohms @ 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds1350pF @ 25V
Potenza max200W
ImballaggioNastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs42nC @ 10V
Contenitore / involucroTO-263
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL
IXTA3N120CT ND
IXTA3N120CTND
IXTA3N120CT
Image of MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 - IXTA3N120TRL
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MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 - IXTA3N120TRL
(IXTA3N120CT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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International Rectifier Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF7103 Dispositivi a semiconduttore discreti
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