Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDB8832 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK - FDB8832

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10 2.522 25.22
100 2.0545 205.45
250 1.86772 466.93
500 1.63424 817.12
Numero di produttore dell’articoloFDB8832
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Quantità disponibile 3538

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Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDB8832
Informazioni tecniche da catalogoFDB8832
FornitoreFairchild Semiconductor (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)30V
Corrente - Drain continuo (Id)80A
Rds On (max) - Id, Vgs1,9 mOhm a 80A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 11400pF a 15V
Potenza max300W
ImballaggioNastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs265nC a 10V
Contenitore / involucroD²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi FDB8832
FDB8832
FDB8832CT ND
FDB8832CTND
FDB8832CT
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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK - FDB8832
(FDB8832CT-ND)

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK - FDB8832 (FDB8832CT-ND)

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