ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MJD31C1 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK-3 - MJD31C1 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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MJD31C1-ND

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MJD31C1

Descrizione

TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK-3

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ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MJD31C1

Informazioni tecniche da catalogo	MJD31C1
Fornitore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	100V
Corrente di collettore (Ic) (max)	3A
Potenza max	1,56W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	10 a 3A, 4V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1,2V a 375mA, 3A
Frequenza - transizione	3MHz
Corrente di soglia collettore (max)	50µA
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 cavi diritti + linguetta)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	MJD31C1 MJD31C1

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TRANS POWER NPN 3A 100V DPAK-3 - MJD31C1
(MJD31C1-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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